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ROHM SemiconductorR6008ANX场效应管

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单价: 面议
起订: 1 PCS
供货总量: 99999 PCS
发货期限: 自买家付款之日起 1 天内发货
所在地: 全球 亚洲 中国
有效期至: 长期有效
最后更新: 2016-01-30 02:07
询价
 
公司基本资料信息
详细说明
===下面的信息是电脑翻译的,请联系发布者
===
安装类型:通孔
供应商设备封装:TO-220FM
功率 - 最大:50W
FET 特点:标准型
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:680pF @ 25V
漏极至源极电压(Vdss):600V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 1mA
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
材料:SB肖特基势垒栅
用途:SW-REG/开关电源
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
导电方式:增强型
封装外形:TO-220-3 整包
品牌:ROHM Semiconductor
型号:R6008ANX

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